碳化硅是目前正在研究的半導(dǎo)體，已在快速切換、高溫及高電壓的應(yīng)用上，進(jìn)行前期的大量生產(chǎn)。第一個可用的元件是肖特基二極管、之后是結(jié)型場效應(yīng)管及高速切換的功率MOSFET。目前正在開發(fā)雙極性晶體管及晶閘管。
    碳化硅元件商品化的主要問題是如何去除缺陷：包括邊緣位錯、螺旋位錯（空心和閉合）、三角形缺陷及基面位錯。因此，雖然有許多研究設(shè)法要改善特性，但最早期SiC材料的元件，其反向電壓阻隔能力不好[。除了晶體品質(zhì)外，SiC和二氧化硅的界面問題也影響了SiC MOSFET及IGBT的發(fā)展。滲氮已大幅改善了界面問題，不過其機(jī)制還不清楚。
    2008年已有第一個商品化的JFET，額定1200V，之后是2011年第一個商品化的MOSFET，額定電壓1200 V。SiC的開關(guān)以及SiC肖特基二極管（SBD）有常見的TO-247及TO-220封裝外，許多廠商也開始將SiC裸晶放在功率模組中。
    SiC SBD二極管已用在功因修正電路上，以及IGBT功率模組中。像是國際集成功率電子系統(tǒng)大會（CIPS）等研討會也會定期報告有關(guān)SiC功率元件的技術(shù)驅(qū)勢。
    日本部分新造的大功率交傳鐵路車輛，以碳化硅取代IGBT用于牽引變流裝置（如新干線ALFA-X和E235系），有助進(jìn)一步減少車輛耗電。
    SiC功率元件的主要挑戰(zhàn)有：
    閘極驅(qū)動電路：SiC功率元件的閘極驅(qū)動電路和硅半導(dǎo)體的電路不同，閘極驅(qū)動電路的電壓是非對稱的（例如+20 V和?5 V）。
    包裝：SiC 裸晶的功率密度比硅半導(dǎo)體要高，其溫度可以超過硅的上限150 °C。需要用到新的芯片連接技術(shù)（例如燒結(jié)）才能有效的將熱從元件帶出，并且確保有可靠的互連燒結(jié) are required to efficiently get the heat out of the devices and ensure a reliable interconnection.